材料科学与工程学报
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东大电子科学与工程学院、微电子学院院长孙立

会面消息?未来,显示设备可以像纸一样薄,可以随意折叠、放入口袋; “制造”不需要对物质进行加工和组合,物质本身的原子可以游动,成长为你所需要的。形式... 日前,记者采访了全国杰出青年、东南大学电子科学与工程学院、微电子学院院长孙立涛。集成电路科学与工程新学科。集成电路代表了电子信息发展的前沿,资本、创新、人才等要素在本学科中高度密集。

建立国家创新中心

全力突破“卡脖子”高端芯片问题

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早期电子科技专注于器件制造。但是,随着电子信息的不断发展,这个学科和经常提到的“集成电路”早已发展成为一个更广泛的学科门类,数学、材料、物理、化学、计算机、自动化、机械等学科都与它。这也是国家要建立新学科“集成电路科学与工程”的主要原因。 “集成电路几乎涉及到生活的方方面面,是很多新技术的支撑基础,大数据、人工智能、5G通信、物联网、智能制造等新技术都需要通过它来实现。”采访开始时,孙立涛强调,“技术基础”需要长期投入,长期坚持。所有梦幻般的技术场景都需要基础研究来铺平道路。在电子信息领域,芯片是“心脏”,是国家的“工业粮食”。孙立涛对技术走向市场的道路是行不通的印象深刻。真正先进的技术是无法交换的。交换的往往是别人的过时物品。由于基础研发力度不够,我国已经上市很长时间了。与芯片相关的四个基本支撑方面:设计、材料、制造、表征都存在不同程度的缺陷和不足。目前,中国的高端芯片仍然非常稀缺。大多数高端制造技术、设计和先进材料都掌握在少数发达国家手中。水平封装机、芯片设计的EDA软件、高纯硅、高纯金属、蚀刻用的酸都是目前关键的“卡脖子”。为解决高端芯片“卡脖子”问题,中国自主研发高端芯片刻不容缓。 “基础研究是整个科学体系的源泉,是一切技术问题的总开关。”孙立涛把芯片“逆袭”的关键放在技术基础支撑的大平台的建设上,并通过一系列基础研究的载体平台逐步补充。我国芯片链的短板。东大结合当地优势产业特点,率先在南京江北新区逐步建设国家级EDA(软件)设计创新中心、苏州下一代材料研究院、国际纳米微系统创新中心在无锡??,这些都突破了我国的芯片设计、材料和制造瓶颈。

布局下一个十年

“原子制造”开启轻薄电子时代

筹码破局,箭已出线。一方面,我们不坐等搭建平台补短板;另一方面,我们认为优势是可以创造的,不受客观条件的绝对限制。 “过去十年我们失去的,已经完全弥补;未来十年,我们必须做好充分的准备。”孙立涛介绍,面对未来十年的芯片技术,我国在芯片设计、新材料、新器件和独创的Bit表征方法等方面都有“创造”优势。以芯片设计为例。目前,通过“高能效”设计,芯片速度可以提高1到2倍。此外,东大通过二维材料、超材料,以及相应的原位原子级加工和表征技术,开发了多种面向未来的新型器件。未来,电视可以像纸一样薄,手机的柔性屏可以折叠成手镯,随意戴在身上……随着基础研究的突破,这样的“超现实”场景即将到来角落。未来,不仅电子设备的场景将被颠覆,就连“制造”也被重新定义——制造不再是物质的加工和组合,物质本身的原子可以游动和生长。按照你的设计,“制造”“在新的状态下,车间可能会被仪器取代。目前,孙立涛带领的东大团队正在深耕“原子制造”,他们开创了一种新的制造方式。原子分辨球差校正透射电子显微镜,通过电、力、热、光等因素引导原子,并提出“让器件生长”等新的制造理念。该项目已发表在《自然》等国际期刊,目前处于实验探索期,随着相关技术的成熟,电子设备将大力推进“轻薄化”时代,智能制造将发起。新业态”。 “科技世界没有天赋,它之所以强大,是因为它付出了足够的代价。”孙立涛认为,目前,底层技术的自主创新仍是我国电子信息领域的薄弱环节。 “为了扩展更多的可能性。

乐观是“被低估”的科学研究质量

< p>兴趣、主动性和乐观,这是孙立涛在科研和教育中非常重视的三个方面。相对来说,比较奇怪的是“乐观”。为什么值得强调?“乐观是被低估的质量。特别是对于研究人员来说,观察和反复试验是常态。亮点在任何时候都是罕见的。一个科学家再伟大,他一生也只有少数‘突破’,大部分都是伴随着失败。”孙立涛说,如果没有“乐观”的态度,很多研究人员会选择停滞不前或者绝望地放弃。“失败”也是科学研究的一部分。它不是毫无意义的。它甚至是科学本身。它也可以让别人避开错误的道路,尽快找到解决问题的方法,或者激发新的发现。“‘成功不一定在我身上’,这种价值观也适用于科学研究,更多的科研人员有这种心态,那么中国的科技发展就会更有希望。”孙立涛的要求对于一向“轻松”的学生,他不追求进步,但看重科研诚信:论文可以慢,但数据一定要真实;实验可以失败,但不能随意放弃。事实证明那孙立涛的“灵活”方式o f 教育人们实际上可以促进更多的创新。 “科学界只有真理,没有权威。”得益于导师营造的“轻松”的科研氛围,他的学生孙军才敢于尝试。在孙立涛的指导下,孙军与中科院微电子研究所合作,通过TEM实时监测RRAM存储器件在电激发过程中的结构变化,成功获得导电细丝的动态过程成长和毁灭。该研究被认为是“该领域的重要发现”,为深入了解氧化物固体电解质型RRAM的电阻存储微观机制提供了坚实的实验基础。被国际权威学术期刊《Advanced Materials》(Advanced Materials)选中。封面文章发表了。